据悉中国最大的芯片代工厂中芯国际预计将在4月份试产7nm工艺，这意味着中芯国际即使缺乏EUV光刻机也尝试量产7nm工艺，这对于中国芯片制造业有重要的意义。

 

由于众所周知的原因，中国芯片制造企业目前难以获得EUV光刻机，这对于5nm及更先进工艺来说非常关键，而采用DUV光刻机则虽然也可以量产7nm工艺，但是这已是DUV光刻机的极限。

此前台积电就是采用DUV光刻机投产了7nm工艺，此后时隔一年时间才采用EUV光刻机投产7nmEUV工艺。据分析指出，7nmEUV工艺较7nm工艺提升了20%的晶体管密度，同时降低了6%-12%的功耗可以说是巨大的进步。

7nmEUV工艺能取得如此巨大的进步与EUV光刻机的技术升级分不开，EUV是极紫外线的简称，DUV则是深紫外线的简称，DUV的波长为193nm，而EUV的波长则为十几nm，利用波长更短的EUV光刻机可以降低生产成本并且提升芯片的性能。

 

中芯国际采用DUV光刻机开发出接近7nm工艺的技术可以说是一个巨大的进步，这意味着中芯国际正迅速缩短与台积电的技术差距，同时也将取得对联电和格芯的技术领先优势，联电和格芯已确定放弃7nm及更先进的工艺。

中芯国际如果顺利量产7nm工艺可望有助于增强中国芯片产业链的实力，目前中国大陆投产的最先进工艺分别是台积电南京工厂的16nmFinFET和中芯国际的14nmFinFET，如果中芯国际拥有先进的7nm工艺，中国大陆的本土芯片企业可以就近流片，节省流片时间和成本，加快芯片研发进程。

同时中芯国际研发出7nm工艺，将有助于它为更先进的工艺积累技术，一旦获得EUV光刻机就可以迅速展开5nm工艺的研发。

当下全球的芯片制造产能均出现紧张局面导致价格上涨，由于目前仅有台积电和三星拥有7nm及更先进工艺导致这些工艺的价格上涨幅度更大，如果中芯国际能投产7nm工艺将有助于它获得更多利润，去年下半年由于14nmFinFET工艺的拉动它就取得了净利润倍增，可见先进工艺的利润非常丰厚，有了更多的利润也有助于中芯国际投资研发更先进工艺，这是一种良性循环。

 

面临如此困难情况下，中芯国际依然奋力前行，体现了中国芯片制造企业的艰苦奋斗决心。芯片制造产业链也在努力向前，上海中星微电子也在努力开发自主研发的光刻机，相信在中国各方的努力下，中国芯片制造业终究有一天能实现完全自主研发。